申请号：CN202011532288.9
本专利所属技术领域（IPC）：H10K71/40,H10K30/15,H10K30/88,H10K30/50,H10K71/12
国民经济行业分类：光伏设备及元器件制造 , 光电子器件制造
战新分类：太阳能设备和生产装备制造
第一发明人：尹君
所属学院：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院
联系方式：综合部：0792-8370097 沈老师17507028868
技术成熟度：小批量生产、工程应用阶段
意向转化方式：拟自行应用或产业化
意向转化金额（万元）：10.00
成果介绍：
本发明提供一种钝化钙钛矿薄膜层的方法，通过制备钙钛矿前驱体溶液；预处理导电玻璃 / 电子传输层构成的基底；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底并加热，以生成钙钛矿薄膜层；以及用含氟磺酸盐在所述钙钛矿薄膜层进一步钝化修饰，形成含氟磺酸盐修饰的钙钛矿薄膜层。本发明提出的钝化钙钛矿薄膜层的方法，使钝化后的钙钛矿薄膜层具有优异的稳定性，低缺陷态密度和长载流子寿命，并且以本发明方法制备的钙钛矿薄膜层所组装的太阳能电池，其转换效率和稳定性明显提升。
