4H-SiC碳化硅紫外光电探测器
项目负责人：张峰 教授
技术领域：半导体、环保
成果介绍：
碳化硅（4H-SiC）是典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度器大、本征载流子浓度低、抗辐射能力强、工作温度高等优点，其禁带宽度约为3.26eV，对应的长波吸收限约为380nm，因此，由其制备的紫外光电探测器对可见光完全没有响应。
本项目已实现4H-SiC PIN结构光电探测器的小批量工艺制备和芯片封装，器件尺寸规格为200μm*200μm、400μm*400μm、2mm*2mm等，TO46或TO5封装，可广泛应用于光固化、医疗、杀菌消毒、火焰探测、电弧探测、纸钞识别等领域。
成果特点：
◆暗电流：<0.5pA@0.2*0.2mm2
◆ 光谱响应范围：200-400nm
◆ 光谱响应度：0.1A/W@270nm
◆
成果现状：
已实现实验室小批量生产，已申报专利。
合作形式：
产品销售推广、产品合作开发。
联系人：厦门大学九江研究院 郑老师 13979219664 座机 0792-8370097
