氧化镓功率器件项目负责人：杨伟锋 教授 技术领域：新材料成果介绍：我们研制了基于氧化镓的高性能平面型肖特 基结势垒二极管（SBDs） ，导通电压<1V，导通电阻约10mΩ· cm2，击穿电压高达890V，泄漏电流约0.1μA/cm2，处于国际先进水平。此外，我们也掌握β-Ga2O3低损伤刻蚀、高质量介质层沉积等关键技术，研制了5A/600V、2 A/1200V级别的沟槽型氧化镓SBD，有望实现商业化量产。联系人：郑老师 13979219664 座机 0792-8370097
氧化镓功率器件
项目负责人：杨伟锋 教授 技术领域：新材料
成果介绍：我们研制了基于氧化镓的高性能平面型肖特 基结势垒二极管（SBDs） ，导通电压<1V，导通电阻约10mΩ· cm2，击穿电压高达890V，泄漏电流约0.1μA/cm2，处于国际先进水平。此外，我们也掌握β-Ga2O3低损伤刻蚀、高质量介质层沉积等关键技术，研制了5A/600V、2 A/1200V级别的沟槽型氧化镓SBD，有望实现商业化量产。
联系人：郑老师 13979219664 座机 0792-8370097
