申请号：CN201820793672.6
本专利所属技术领域（IPC）：B81C1/00,G02B1/00
国民经济行业分类：光学仪器制造 , 其他专用设备制造
战新分类：新型电子元器件及设备制造 , 智能、仿生与超材料制造
第一发明人：高娜
所属学院：厦门大学物理科学与技术学院
联系方式：综合部：0792-8370097 沈老师17507028868
技术成熟度：样品、实验阶段
意向转化方式：面议
意向转化金额（万元）：面议
成果介绍：
本实用新型公开了一种半导体器件的氮化物电介质结构，包括：衬底；AlN 缓冲层，设置于衬底之上；超晶格层，覆盖于缓冲层之上；所述超晶格层由 AlN 层和 GaN 层周期性交替层叠形成；所述超晶格层上刻蚀形成若干孔洞，所述孔洞的形状为倒六棱台或倒六棱锥。本实用新型实现大面积、亚波长量级的小尺寸光子晶体的六棱锥、六棱台结构，形状更为复杂，以更加精确地调控光子的运动。
